SiC単結晶は次世代パワー半導体用材料と言われて久しいが、まだその本来ポテンシャルを発揮できていない。しかし、SiCパワー半導体としてダイオードだけでなくトランジスタの量産が進むなどシリコンパワー半導体との戦いが始まっている。このSiCパワー半導体において重要な材料であるSiC単結晶について、単結晶メーカーへのヒアリングをベースにエピハウスやユーザー側などの情報を加え、現状、および今後の市場性を捉えるレポートとして発刊した。
資料詳細説明
■本資料概要
第1章 SiC単結晶市場の現状と展望
・低損失高耐圧電子デバイス用の材料として、昇華法によるブレークスルーで
市場化が進む
・MPからBPD、STDと各種欠陥の議論が進むも、デバイス側の評価が一番の物差しに
・昇華法以外のアプローチも進展、溶液法でも4インチ以上が視野に
・ウエハー高品質化となるMSE法ベースのバッファ膜形成はデバイス側での
効果確認ステージへコスト低減へ向け、ウエハー貼り合せによるアプローチも妙味
・エピ膜厚15μmレベル（=耐圧1,700V）までは標準的な対応が可能
・それ以上（30μm=耐圧3,300V）へのアプローチが進む
・中国エピタキシャルハウスの国内進出も始まる
・合言葉の「1インチ1万円」、当面は6インチ単結晶ウエハー価格でこれに向かう
・当面は6インチ一定レベル品の安定生産が優先も、価格低下圧力は強い
・2.2円/mm2（6インチにおいて）が目標、時間はかかるものの大きなハードルではなくなる
・主要メーカーの6インチ品が市場に出揃い、徐々に主戦場に
・インチアップは他製法（昇華法以外）やエピタキシャルでも進み、既に8インチの足音も
・SiCデバイス市場はついに急成長局面に、単結晶ウエハーもこれに続く
・SiC単結晶全体市場はパワーデバイス用を中心に2015～2016年の高成長期に向かう
・しばらくは4インチベースの市場成長が続くが、2017年以降は6インチの存在感が増す展開に
・Creeのシェアは低下中だが再び高シェア獲得の様相も
第2章 SiC単結晶関連プレーヤー動向（15社）
発刊日:2014/10/7 体裁:A4/93頁
書籍：定価 130,000円 (税別)
PDFレギュラー(事業所内利用限定版)：定価 130,000円 (税別)
セット(書籍とPDFレギュラー)：定価 160,000円 (税別)
PDFコーポレート(法人内共同利用版)：定価 260,000円 (税別)
セット(書籍とPDFコーポレート) ：定価 290,000円 (税別)
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対象業種 |
全業種 |
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対象企業規模 |
企業規模問わず |
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